如何申请专利
您的位置: 首页 > 新闻中心 > 正文

茂达电子股份有限公司《功率晶体管组件及其制作方法》由新创友代理成功获得发明专利权

   据2015年5月13日中国发明专利公报,茂达电子股份有限公司《功率晶体管组件及其制作方法》由新创友代理成功获得发明专利权。

   本发明公开了一种功率晶体管组件包括一衬底、一外延层、一掺质来源层、一漏极掺杂区、一第一绝缘层、一栅极结构、一第二绝缘层、一源极掺杂区以及一金属层。衬底、漏极掺杂区与源极掺杂区具有一第一导电类型,且外延层具有一第二导电类型。外延层设于衬底上,且具有至少一穿孔贯穿外延层。掺质来源层、第一绝缘层、栅极结构与第二绝缘层依序设于穿孔中的衬底上。漏极掺杂区与源极掺杂区设于穿孔一侧的外延层中。金属层设于外延层上,且延伸至穿孔中,以与源极掺杂区相接触。借此,可有效地减少使用掩模的数量,并降低功率晶体管组件的制作成本与制作复杂度。

   

   新创友,发明专利代理专家,

        电话:0755-88858101 /83671888

        传真:0755-83671968