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大中积体电路股份有限公司《绝缘栅双极晶体管结构及其制作方法》由新创友代理成功获得发明专利权

   据2015年6月24日中国发明专利公报,大中积体电路股份有限公司《绝缘栅双极晶体管结构及其制作方法》由新创友代理成功获得发明专利权。

   本发明公开了一种绝缘栅双极晶体管结构及其制作方法。首先,在具有一第一导电类型的半导体基底上形成具有一第二导电类型的一外延层以及一埋入层,其中半导体基底具有一主动组件区以及一终端区,且埋入层位于外延层中。然后,移除终端区的埋入层以及其上的外延层,以于终端区之外延层上形成一浅沟槽。随后,形成一金氧半场效应晶体管结构于主动组件区的外延层中,且形成多个第一环掺杂区于浅沟槽底部的外延层中。借此,可降低开启电压,并避免运送成本增加与半导体基底受到损坏。

   

   新创友,发明专利代理专家,

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