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大中积体电路股份有限公司 《沟槽型功率晶体管组件及其制作方法》由新创友代理成功获得发明专利权

   据2015年8月5日中国发明专利公报,大中积体电路股份有限公司 《沟槽型功率晶体管组件及其制作方法》由新创友代理成功获得发明专利权。

   本发明公开了一种沟槽型功率晶体管组件,包含有一半导体衬底、至少一晶体管单元、一栅极金属层、一源极金属层以及一第二栅极导电层。半导体衬底具有至少一个第一沟槽。晶体管单元包含有一设置在第一沟槽内的第一栅极导电层。栅极金属层与源极金属层设置在半导体衬底上。第二栅极导电层设置在第一栅极导电层与源极金属层之间。第二栅极导电层电性连接第一栅极导电层与栅极金属层,且第二栅极导电层与源极金属层以及半导体衬底电性绝缘。借此,各晶体管单元的各栅极的电阻可被降低,且沟槽型功率晶体管组件的栅极输入电阻也可被缩小。

   

   新创友,发明专利代理专家,

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