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南亚科技股份有限公司《单晶体管单电阻器电阻式存储器元件及其制作方法》由新创友代理成功获得发明专利权

   据2015年9月14日中国发明专利公报,南亚科技股份有限公司《单晶体管单电阻器电阻式存储器元件及其制作方法》由新创友代理成功获得发明专利权。

   本发明公开了一种存储器结构,其包含有有源区域,被第一绝缘沟槽及第二绝缘沟槽包围,第一绝缘沟槽沿着一第一方向延伸,第二绝缘沟槽沿着一第二方向延伸;位线沟槽,凹入有源区域中,该位线沟槽沿着一第二方向延伸并横截该第一绝缘沟槽;字线沟槽,凹入该有源区域中且沿着一第一方向延伸并横截该第二绝缘沟槽,其中位线沟槽与字线沟槽共同将有源区域区分成四个柱状子区域;位线是埋入于该位线沟槽中;字线是埋入于该字线沟槽中;垂直晶体管,内建于各柱状子区域;以及存储器电阻器件,其电耦合该垂直晶体管。

   

   新创友,发明专利代理专家,

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