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香港应用科技研究院有限公司《具有图案化表面、图案化侧壁和局部隔离的硅通孔结构》由新创友代理成功获得发明专利权

   据2015年10月28日中国发明专利公报,香港应用科技研究院有限公司《具有图案化表面、图案化侧壁和局部隔离的硅通孔结构》由新创友代理成功获得发明专利权。

   本发明披露了一种为具有图案化表面、图案化侧壁和局部隔离的硅通孔结构以及制作该结构的方法。在一个实施例中,TSV结构包括一个从所述第一侧表面延伸到所述第二侧表面穿透芯片的通孔,其在第一侧表面有第一端,在第二侧表面有第二端。一局部隔离层沉积在通孔侧壁上和第一端周围的部分第一侧表面上。TSV结构还包括多个密集的微结构,其被安排成非随机图案,并被制作在所述第一端周围的的至少部分第一侧表面上,所述局部隔离层覆盖于所述微结构上,用于提高局部隔离层到芯片的粘附力。大部分微结构的深度至少为1μm。

   

   新创友,发明专利代理专家,

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