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茂达电子股份有限公司《低米勒电容的超级接面功率晶体管制造方法》由新创友代理成功获得发明专利权

   据2015年12月24日中国发明专利公报,茂达电子股份有限公司《低米勒电容的超级接面功率晶体管制造方法》由新创友代理成功获得发明专利权。

   本发明公开了一种低米勒电容的超级接面功率晶体管制造方法。首先提供一N型漏极基底,并在N型漏极基底形成一P型外延层。接着,在一晶胞区域内的P型外延层中形成至少一沟槽,并且在沟槽的表面形成一缓冲层。填入一N型掺质来源层到沟槽内,并且回蚀刻N型掺质来源层,以在沟槽的上部形成一凹陷结构。在凹陷结构的表面形成一栅极氧化层,同时,使N型掺质来源层内的N型掺质经由缓冲层扩散到P型外延层,而形成一N型基体掺杂区。接着,在凹陷结构内填入一栅极导体,并且在栅极导体周围的P型外延层内形成一N+型源极掺杂区。

   

   新创友,发明专利代理专家,

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