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南亚科技股份有限公司 《穿硅通孔与其形成方法》由新创友代理成功获得发明专利权

   据2016年3月31日中国发明专利公报,南亚科技股份有限公司 《穿硅通孔与其形成方法》由新创友代理成功获得发明专利权。

   本发明公开了一种穿硅通孔的结构,其包含一导电电极、一绝缘层以及一掺杂区。其中,导电电极设置于一基底中,导电电极会贯穿基底的一第一表面以及一第二表面。绝缘层设置于基底中,并包围所述导电电极。掺杂区设置于基底中,并包围所述绝缘层。本发明的穿硅通孔由于具有掺杂区包围在导电电极以及绝缘层中,故可以解决现有技术中漏电流以及杂讯过高的缺陷。本发明另外还提供了一种穿硅通孔的形成方法。

   

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