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南亚科技股份有限公司《具有穿硅通孔与测试电路的半导体结构与其制作方法》由新创友代理成功获得发明专利权

   据2016年7月14日中国发明专利公报,南亚科技股份有限公司 《具有穿硅通孔与测试电路的半导体结构与其制作方法》由新创友代理成功获得发明专利权。

   本发明公开了一种半导体结构,具有一穿硅通孔以及测试修补电路。其中,穿硅通孔设置于基底中并贯穿基底的有源面以及背面。测试修补电路设置于基底的背面上,与穿硅通孔电性连接,借以提供测试修补功能。根据本发明的另外一个实施方式,本发明另外提供了一种形成半导体结构的方法。

   

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