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茂达电子股份有限公司 《具有低密勒电容的金氧半场效应晶体管器件及其制作方法》由新创友代理成功获得发明专利权

   据2016年9月22日中国发明专利公报,茂达电子股份有限公司 《具有低密勒电容的金氧半场效应晶体管器件及其制作方法》由新创友代理成功获得发明专利权。

   本发明公开了一种功率半导体器件,包含有一具有第一导电型的半导体基底;一外延层,位于所述半导体基底上;一具有第二导电型离子阱,位于所述外延层中,其中所述离子阱具有一接面深度;一栅极沟槽,位于所述外延层中,且所述栅极沟槽的深度大于所述接面深度;一栅极氧化层,位于所述栅极沟槽表面;一栅极,位于所述栅极沟槽内;以及一具有所述第二导电型的袋形掺杂区,位于所述外延层中且紧邻并至少覆盖所述栅极沟槽的转角部分。

   

   新创友,发明专利代理专家,

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