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香港应用科技研究院有限公司 《一种有低触发电压和高保持电压的ESD保护结构》由新创友代理成功获得发明专利权

   据2016年10月10日中国发明专利公报,香港应用科技研究院有限公司 《一种有低触发电压和高保持电压的ESD保护结构》由新创友代理成功获得发明专利权。

   一种静电放电(ESD)保护电路,包括一垂直NPN晶体管,含有浮动P-型基极,其由在一N+源极区之下进行深P-型注入形成。所述深P-型注入可以是一个标准CMOS工艺中的一个ESD注入。该P-型注入提供一个低的初始回跳触发电压,但是保持电压可能太低,会产生闩锁问题。通过将该垂直NPN晶体管的发射极连接到并联的电阻和二极管支路,保持电压可以升高大约1伏。当该垂直NPN晶体管被触发时,其电流最初流经电阻,随着电流上升,在电阻上产生一个上升的电压降。一旦电阻上的电压达到0.5伏,和电阻并联的二极管就被正向导通,分流一个比电阻上更高的电流,以提升保持电压。可以用一个钳位晶体管来代替二极管。

   

   新创友,发明专利代理专家,

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